特許
J-GLOBAL ID：200903019217092319

ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法

発明者：
杉 野 貴 志

杉 野 貴 志 について

, 
山 崎 修

山 崎 修 について

, 
妹 尾 秀 男

妹 尾 秀 男 について


出願人/特許権者：
リンテック株式会社

リンテック株式会社 について


代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-254817
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095844
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】半導体ウエハへの貼付作業およびICチップのピックアップ操作を円滑に行え、かつ貯蔵弾性率に優れたダイボンド層が形成できる粘接着剤層をICチップ裏面に転写できるウエハダイシング・接着用シートを提供することを目的としている。【解決手段】本発明に係るウエハダイシング・接着用シートは、基材上に、第1の粘接着剤層および第2の粘接着剤層がこの順に積層してなり、第2の粘接着剤層は、硬化後において-50〜150°Cの範囲の貯蔵弾性率の最小値が108Pa以上であることを特徴としている。本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記ウエハダイシング・接着シートの第2の粘接着剤層に、半導体ウエハを貼着し、前記半導体ウエハをダイシングしてICチップとし、前記ICチップ裏面に第2の粘接着剤層、第1の粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、前記ICチップをダイパッド部上に前記第1の粘接着剤層を介して熱圧着することを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基材上に、第1の粘接着剤層および第2の粘接着剤層がこの順に積層してなるウエハダイシング・接着用シートであって、 第2の粘接着剤層は、硬化後において-50〜150°Cの範囲の貯蔵弾性率の最小値が108Pa以上であることを特徴とするウエハダイシング・接着シート。
IPC (7件)：
H01L21/52 ,  C09J7/02 ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301
FI (8件)：
H01L21/52 E ,  H01L21/52 C ,  C09J7/02 Z ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/78 M
Fターム (57件)：
4J004AA05 ,  4J004AA10 ,  4J004AA11 ,  4J004AA13 ,  4J004AA14 ,  4J004AA15 ,  4J004AA18 ,  4J004AB01 ,  4J004AB05 ,  4J004AB06 ,  4J004AB07 ,  4J004CA03 ,  4J004CA04 ,  4J004CA05 ,  4J004CA06 ,  4J004CC02 ,  4J004CC03 ,  4J004CE01 ,  4J004DB01 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  4J040DF001 ,  4J040DF011 ,  4J040DF031 ,  4J040DF061 ,  4J040EB031 ,  4J040EB032 ,  4J040EB131 ,  4J040EB132 ,  4J040EC001 ,  4J040EC002 ,  4J040EC061 ,  4J040EC062 ,  4J040EC071 ,  4J040EC072 ,  4J040EC231 ,  4J040EE061 ,  4J040EE062 ,  4J040FA141 ,  4J040FA142 ,  4J040FA151 ,  4J040FA152 ,  4J040JA09 ,  4J040JB02 ,  4J040JB07 ,  4J040JB08 ,  4J040JB09 ,  4J040KA13 ,  4J040LA06 ,  4J040MB03 ,  4J040NA20 ,  4J040PA32 ,  5F047AA11 ,  5F047BA23 ,  5F047BA24 ,  5F047BA34 ,  5F047BA54
引用特許：
審査官引用 (3件)

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