特許

J-GLOBAL ID：200903019223738131

半導体装置

発明者： 増田 哲
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-305727
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115894
出願日： 2005年10月20日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】半導体チップ内の温度分布が均一になるようにして、各トランジスタの出力のアンバランス動作による性能劣化を抑制し、半導体回路の高性能化を実現できるようにする。【解決手段】ベース材11と、ベース材11上にフェイスアップ実装され、表面に電極を有する複数のトランジスタを備える半導体チップ12と、放熱板13と、複数のトランジスタのそれぞれの電極と放熱板13とを接続する複数のバンプ15とを備え、複数のバンプ15が、半導体チップ12内の温度分布が均一になるように、半導体チップ12上の位置に応じて異なる面積を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ベース材と、 ベース材上にフェイスアップ実装され、表面に電極を有する複数のトランジスタを備える半導体チップと、 放熱板と、 前記複数のトランジスタのそれぞれの電極と前記放熱板とを接続する複数のバンプとを備え、 前記複数のバンプが、前記半導体チップ内の温度分布が均一になるように、前記半導体チップ上の位置に応じて異なる面積を有することを特徴とする、半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 23/36

FI (1件)：

H01L23/36 D

Fターム (4件)：

5F136BB01 ,  5F136BC00 ,  5F136DA21 ,  5F136FA17

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平4-2154号公報
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-195297   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-042712   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (2件)

• 電子部品およびその実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-223117   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置及びその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-048321   出願人：株式会社日立製作所