窒化物半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062589
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330554
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【目的】主としてLED、LD等の窒化物半導体素子の出力を向上させると共に、Vf、閾値を低下させて素子の発光効率を向上させる。【構成】 n側の窒化物半導体層と、p側の窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記n側の窒化物半導体層には、Inを含む第1の窒化物半導体層と、その第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されたn側多層膜層を有し、前記第1の窒化物半導体層、または前記第2の窒化物半導体層の内の少なくとも一方の膜厚が100オングストローム以下である。特に多層膜を超格子構造とすることにより活性層の結晶性が良くなるので素子の効率が向上する。

請求項（抜粋）：

n側の窒化物半導体層と、p側の窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記n側の窒化物半導体層には、Inを含む第1の窒化物半導体層と、その第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されたn側多層膜層を有し、前記第1の窒化物半導体層、または前記第2の窒化物半導体層の内の少なくとも一方の膜厚が100オングストローム以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18 673

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18 673

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-237468 出願人：株式会社東芝
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-154708 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-013393 出願人：シャープ株式会社

全件表示

前のページに戻る