特許
J-GLOBAL ID：200903019263264817
薄膜キャパシタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394512
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197463
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 電極と誘電体との界面のゴミなどの不純物やパーティクルにより信頼性の損なわれることのない薄膜キャパシタと、その製造方法を提供すること。【解決手段】 絶縁性基板41、41’と、その上に位置する、誘電体層43、43’を下部電極層42、42’と上部電極層44、44’とで挟み込んだキャパシタ構造体と、下部電極層42、42’及び上部電極層44、44’のおのおのに接続する導体部材46a、46a’、46b、46b’とを含む薄膜キャパシタにおいて、少なくとも当該誘電体層43、43’の側面が、上部電極層44、44’と下部電極層42、42’とが導体部材46b、46b’を介し短絡するのを防ぐのに十分な傾斜を持つようにする。そのために、下部電極層、誘電体層及び上部電極層のパターニングはイオンミリング法で一括してなされる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と、その上に位置する、誘電体層を下部電極層と上部電極層とで挟み込んだキャパシタ構造体と、下部電極層及び上部電極層のおのおのに接続する導体部材とを含む薄膜キャパシタであって、少なくとも当該誘電体層の側面が、上部電極層と下部電極層とが導体部材を介し短絡するのを防ぐのに十分な傾斜を備えていることを特徴とする薄膜キャパシタ。
Fターム (7件)：
5E082AB01
, 5E082BB01
, 5E082BC38
, 5E082BC39
, 5E082EE05
, 5E082EE27
, 5E082EE37
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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