特許
J-GLOBAL ID:200903019267658054
薄膜の形成方法及びその形成装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-204887
公開番号(公開出願番号):特開平7-054151
出願日: 1993年08月19日
公開日(公表日): 1995年02月28日
要約:
【要約】【目的】 薄膜堆積に用いる液体または液化した固体原料16の供給量を、液体流量制御器17を用いて制御するとともに、流量制御器17の直後に、前記原料の分子が吸収し得る振動数の超音波を振動子18で与え、液体流量制御器出口から流出する原料を気化することにより、各堆積層を設定の厚さに制御する。【構成】 液体原料を直接液体流量制御器17で流量調節を行ない、その後、超音波発生のための圧電セラミック素子19における超音波励振、加熱ヒータ23による加熱気化や気化促進の霧吹きガスの導入孔24を用い、再現性よく液体原料を用いた薄膜形成が可能となる装置を提供する。
請求項(抜粋):
化学気相成長による堆積薄膜の形成方法において、薄膜堆積に用いる液体または液化した固体原料の供給量を、液体流量制御器を用いて制御するとともに、前記流量制御器の直後に、前記原料の分子が吸収し得る振動数の超音波振動を与え、液体流量制御器出口から流出する前記原料を気化することを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (4件):
C23C 16/44
, B06B 1/06
, H01L 21/31
, H01L 21/316
引用特許:
審査官引用 (6件)
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液体材料気化装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-294601
出願人:松下電器産業株式会社
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特開平1-263276
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処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-287323
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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特開平4-371581
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酸化タンタル薄膜製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-148595
出願人:松下電器産業株式会社, アプライド・マテリアルズ・ジヤパン株式会社
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特開平3-017271
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