特許
J-GLOBAL ID：200903019273156117

半導体レーザ

発明者：
森本 卓夫

森本 卓夫 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-232804
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068585
出願日： 1998年08月19日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 多重量子井戸構造(MQN)の半導体レーザを提供する。【解決手段】 n-InP基板1上に、n-InGaAsP SCH層2、引っ張り歪InGaAsP SCH層3、歪MQW層4、引っ張り歪InGaAsP SCH層7、InGaAsP SCH層8の積層からなるSCH-歪MQW層構成を有する半導体レーザであって、SCH-歪MQWの層構成と、最上層となるp-InPクラッド層10との間に、p-InGaPスペーサ層9が挿入されている。挿入されたp-InGaPスペーサ層9は、n-InP基板1側から、SCH-歪MQWに注入されてくる電子キャリアが、p-InPクラッド層10にオーバフローするのを防止する。その結果、良好な高温特性、高出力特性が得られる。
請求項（抜粋）：
InP基板またはGaAs基板上に多重量子井戸構造を有する半導体レーザであって、多重量子井戸構造の活性層とp-InPクラッド層との間に、引っ張り歪InGaP層を少なくとも一層以上有することを特徴とする半導体レーザ。
Fターム (7件)：
5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073CA17 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (10件)
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-101112   出願人：古河電気工業株式会社
  • 特開平4-359486
  • 多重量子井戸半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-030830   出願人：日本電気株式会社
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