特許
J-GLOBAL ID:200903019287302019
改良された物理蒸着方法及び物理蒸着装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
五十嵐 孝雄 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-513984
公開番号(公開出願番号):特表2001-518558
出願日: 1998年09月29日
公開日(公表日): 2001年10月16日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、スパッタリングターゲットと誘導アンテナとを統合した改良されたスパッタリング・ターゲット(112)に関する。【解決手段】 スパッタリングターゲットが励起されると、スパッタリング材料粒子がスパッタリングターゲットから叩き出され、そして、プラズマ(130)が誘導される。スパッタリングターゲットは、エネルギ源(120)によって励起されていてもよい。エネルギー源は、バイアス電源と誘導電源とを含んでいてもよい。バイアス電源は、対象物に対する電位をスパッタリングターゲットに印加する。誘導電源は、スパッタリングターゲットに電流を供給する。電位および電流により、スパッタリング材料が叩き出され、プラズマが形成され、そして、叩き出された材料粒子が異方的に分散する。
請求項(抜粋):
プラズマ物理蒸着装置内の対象物に材料層を堆積させるために使用されるスパッタリングターゲットであって、 前記スパッタリングターゲットは、スパッタリングされることによって前記堆積に用いられるスパッタリング材料粒子を生成するように構成されており、 さらに、前記スパッタリングターゲットは、励起されたときに、前記プラズマ物理蒸着装置内でプラズマを生成するためのアンテナとしても同時に機能するように構成されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (3件):
C23C 14/34
, H01J 37/34
, H05H 1/46
FI (5件):
C23C 14/34 C
, C23C 14/34 A
, C23C 14/34 U
, H01J 37/34
, H05H 1/46 A
引用特許:
審査官引用 (5件)
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ICPスパッタリング処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-161443
出願人:株式会社神戸製鋼所
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-340682
出願人:三菱電機株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-284209
出願人:東京エレクトロン株式会社
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