不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-360881
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193414
出願日： 2002年12月12日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】低電圧で、高速な高効率ホットエレクトロン書き込みが可能で、高性能な不揮発性半導体記憶装置を得ることを課題とする。【解決手段】シリコン系基板と第1の電極(浮遊ゲート)間の絶縁膜が、シリコン系基板側から、シリコン系基板を窒化することにより得られる下部シリコン窒化膜と、この上に化学気相成長法により形成された上部シリコン窒化膜又は上部シリコン酸化膜の少なくとも2層からなり、下部シリコン窒化膜が、少なくとも一部に1010cm-2以上の面密度の希ガス原子を含有することにより上記課題を解決する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコン系基板上に設けられた第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に設けられた浮遊ゲートとしての第1の電極と、第1の電極上に設けられた第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜を挟んで形成された制御ゲートとしての第2の電極とを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、第1の絶縁膜が、シリコン系基板側から、シリコン系基板を窒化することにより得られる下部シリコン窒化膜と、この上に化学気相成長法により形成された上部シリコン窒化膜又は上部シリコン酸化膜の少なくとも2層からなり、下部シリコン窒化膜が、少なくとも一部に1010cm-2以上の面密度の希ガス元素を含有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (8件)：

H01L21/8247 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/511 , H01L21/318 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (7件)：

H01L29/78 371 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/511 , H01L21/318 A , H01L21/318 M , H01L27/10 434

Fターム (62件)：

4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030LA02 , 4K030LA19 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BE10 , 5F058BF74 , 5F058BH16 , 5F058BJ01 , 5F083EP02 , 5F083EP18 , 5F083EP27 , 5F083EP43 , 5F083EP44 , 5F083EP45 , 5F083EP55 , 5F083EP77 , 5F083ER02 , 5F083ER14 , 5F083ER16 , 5F083ER22 , 5F083ER30 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA27 , 5F083JA04 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083NA01 , 5F083PR12 , 5F083PR15 , 5F083PR18 , 5F083PR21 , 5F083PR40 , 5F101BA19 , 5F101BA23 , 5F101BA29 , 5F101BA35 , 5F101BA36 , 5F101BA45 , 5F101BB08 , 5F101BC11 , 5F101BD02 , 5F101BD35 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BH02 , 5F101BH04 , 5F101BH06 , 5F101BH17

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-123302 出願人：三菱電機株式会社
誘電体膜およびその形成方法、半導体装置、不揮発性半導体メモリ装置、および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-094246 出願人：大見忠弘
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-073397 出願人：ソニー株式会社

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