半導体発光装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅川哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-006039
公開番号（公開出願番号）：特開2008-199000
出願日： 2008年01月15日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：

【課題】小型でありながら発光効率の高い半導体発光装置を提供することである。【解決手段】プリント配線基板3と、このプリント配線基板3上に実装される発光ダイオード素子2と、この発光ダイオード素子2を封止する樹脂体とを備えてなる半導体発光装置1である。前記樹脂体は発光ダイオード素子2の周囲に設けられる第1の樹脂体7と、前記発光ダイオード素子2及び前記第1の樹脂体7を封止する第2の樹脂体8とで構成される。また、前記第1の樹脂体7の高さは、前記発光ダイオード素子2のジャンクション23の位置よりは僅かに低く設定されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プリント配線基板と、このプリント配線基板上に実装される発光ダイオード素子と、この発光ダイオード素子を封止する樹脂体とを備えてなる半導体発光装置において、前記樹脂体は発光ダイオード素子の周囲に設けられる第1の樹脂体と、前記発光ダイオード素子及び前記第1の樹脂体を封止する第2の樹脂体とで構成され、前記第1の樹脂体の高さが前記発光ダイオード素子に設けられるジャンクションの位置より低く設定されていることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (8件)：

5F041AA03 , 5F041DA01 , 5F041DA07 , 5F041DA12 , 5F041DA20 , 5F041DA43 , 5F041DA78 , 5F041DB09

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-090690 出願人：株式会社シチズン電子
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-207680 出願人：株式会社東芝
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-089951 出願人：松下電子工業株式会社

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審査官引用 (2件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-090690 出願人：株式会社シチズン電子
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-207680 出願人：株式会社東芝

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