半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにSiGe層の形成方法及びこれを用いた歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：志賀正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-165691
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359189
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにSiGe層の形成方法及びこれを用いた歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、プロセスの制約が少なく、またデバイス設計の配置自由度における制限が少ない方法で、SiGe層の転位密度を低減すること。【解決手段】 Si基板1上にSiGe層SGを備えた半導体基板であって、前記Si基板表面に溝1aを有している。

請求項（抜粋）：

Si基板と、該Si基板上のSiGe層とを備え、前記Si基板は、表面に溝を有していることを特徴とする半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/324 , H01L 29/161 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/324 X , H01L 29/78 301 B , H01L 29/163

Fターム (19件)：

5F052AA11 , 5F052AA17 , 5F052DA01 , 5F052FA13 , 5F052JA01 , 5F052KA02 , 5F052KA05 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BC19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BK22

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-318918
SiGe層を具えた半導体電界効果デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-522616 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
歪シリコン電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-238755 出願人：株式会社東芝

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