特許
J-GLOBAL ID：200903019384224383
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131954
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036027
出願日： 2000年05月01日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 貴金属電極を用いた場合のリーク電流を十分に低減でき、特に、機能性材料膜と貴金属電極とを用いたキャパシタのリーク電流を十分に低減できるようにする。【解決手段】 熱酸化膜12の上に膜厚が約50nmのルテニウムからなる下部電極13を形成し、続いて、下部電極13に対して、温度が約800°Cのアルゴンと水素との混合ガス中で2分間程度のアニールを行なう。次に、下部電極13上に膜厚が約17nmのTa2O5からなる容量絶縁膜14を形成する。次に、スパッタ法を用いて、容量絶縁膜14の上にルテニウムからなる上部電極15を選択的に形成する。これにより、下部電極13を構成するルテニウムの結晶粒の表面形状は階段状となる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたルテニウムを含む電極又は配線を備え、前記ルテニウムの結晶粒は階段状の表面形状を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/10 451
, H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 651
