特許

J-GLOBAL ID：200903019397621608

不揮発性半導体メモリ

発明者： 竹内 健
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-074968
公開番号（公開出願番号）：特開2005-267687
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】メモリセルの信頼性に応じてその閾値分布を自由に変える。【解決手段】チップ内のメモリセルは、例えば、第1及び第2のメモリセルグループに分けられる。第1のメモリセルグループに対しては、第1の閾値分布が得られるように、第1のモードにより書き込みを実行する。第2のメモリセルグループに対しては、第1の閾値分布とは異なる第2の閾値分布が得られるように、第2のモードにより書き込みを実行する。第1のモードと第2のモードとの切り替えは、閾値分布制御回路により制御する。異なる閾値分布は、例えば、書き込み電位のステップアップ幅を制御することにより実現できる。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルから構成されるメモリセルアレイと、第1の閾値分布が得られる第1のモード及び前記第1の閾値分布とは異なる第2の閾値分布が得られる第2のモードのうちの1つを用いて、前記複数のメモリセルに対して書き込みを行う内部回路と、前記第1のモードと前記第2のモードの切り替えを制御する閾値分布制御回路とを具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C16/02 ,  G11C16/04

FI (3件)：

G11C17/00 611Z ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 641

Fターム (10件)：

5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA14 ,  5B125DA01 ,  5B125DB19 ,  5B125EA03 ,  5B125EG08 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02 ,  5B125FA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-336529   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-239238   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性多値半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-062915   出願人：富士通株式会社