特許

J-GLOBAL ID：200903019427883254

半導体装置とその製造方法

発明者： 堀内 勝忠 ,  土屋 龍太
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (2件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-055811
公開番号（公開出願番号）：特開2005-251776
出願日： 2004年03月01日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】 完全空乏型SOIトランジスタの特性を維持しつつ、閾電圧を任意値に設定でき、且つ低消費電力、低漏洩電流で大電流化、高速動作化の可能な完全空乏型SOIトランジスタを従来製造技術により実現する。 【解決手段】 超微細完全空乏型SOIトランジスタが形成された領域の直下の支持基板に所望不純物を導入し、閾電圧を制御する。また、トランジスタ直下のウエル拡散層にゲート入力信号を印加する構成とすることにより、薄い埋め込み絶縁膜を介して基板電位を制御することにより低電源電圧でも大駆動電流・低消費電力化を可能とする。ゲート入力信号は最下層配線であるゲート電極配線を用いてウエル拡散層と接続させることで、占有面積の増加を抑制する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の絶縁膜を介して配置された単結晶半導体薄膜と、 前記単結晶半導体薄膜上に形成された第2の絶縁膜を介して配置されたゲート電極とを少なくとも含む完全空乏型絶縁ゲート電界効果型のトランジスタを複数有し、 前記ゲート電極は、金属または金属珪化物を含む膜からなり、 前記半導体基板領域内にあって前記ゲート電極の下方に位置する領域に、閾電圧を制御する第1不純物領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11

FI (7件)：

H01L29/78 626C ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 613A

Fターム (99件)：

5F048AA01 ,  5F048AA02 ,  5F048AA05 ,  5F048AA08 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AB06 ,  5F048AB07 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB00 ,  5F048BB01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BB18 ,  5F048BB20 ,  5F048BC16 ,  5F048BF04 ,  5F048BF05 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BF19 ,  5F048BG05 ,  5F048DA19 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F083BS03 ,  5F083BS06 ,  5F083BS15 ,  5F083BS18 ,  5F083BS27 ,  5F083BS31 ,  5F083BS38 ,  5F083BS41 ,  5F083GA01 ,  5F083GA02 ,  5F083GA03 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083LA01 ,  5F083MA01 ,  5F083MA15 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR25 ,  5F083PR40 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA08 ,  5F110AA09 ,  5F110BB04 ,  5F110BB07 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK40 ,  5F110HL08 ,  5F110HM02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-002495   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-361603   出願人：ソニー株式会社
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-381120   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-002495   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法並びに携帯電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-302095   出願人：シャープ株式会社