特許
J-GLOBAL ID：200903019439907183
気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
木戸 一彦
, 木戸 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-064760
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253244
出願日： 2005年03月09日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】 ガス導入部の温度上昇を抑えて原料ガスを物分解させずに基板上に安定した状態で供給することができる気相成長装置を提供する。【解決手段】 円盤状の基板保持台11と、該基板保持台に対向配置されて基板保持台との間に偏平円筒状の反応室13を形成する隔壁12と、該隔壁の中央部に設けられたガス導入部15と、前記反応室の外周に設けられたガス導出部16と、前記基板保持台の同一円周上に配設された複数の基板保持部19と、該基板保持部に保持した基板18を加熱するヒーター21とを備えた気相成長装置において、前記ガス導入部を構成する多重管の先端部に、反応室内に導入するガスを反応室の外周方向に向けてガイドするための円形のガイド板24a,24bを設けるとともに、基板面に対するガイド板の先端Bと基板中心Cとを結ぶ直線Sの仰角θを20度以下に設定する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
円盤状の基板保持台と、該基板保持台に対向配置されて基板保持台との間に偏平円筒状の反応室を形成する隔壁と、該隔壁の中央部に設けられたガス導入部と、前記反応室の外周に設けられたガス導出部と、前記基板保持台の同一円周上に配設された複数の基板保持部と、該基板保持部に保持した基板を加熱する加熱手段とを備えた気相成長装置において、前記ガス導入部は、反応室の軸線を中心とした多重管構造を有し、該多重管の反応室内の先端部に、該多重管により区画されたガス導入経路を通ってそれぞれ導入されるガスを反応室の外周方向に向けてガイドするための外縁が円形のガイド板を有するとともに、前記基板面に対する前記ガイド板の先端と基板中心とを結ぶガイド板径方向の直線の仰角を20度以下に設定したことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/455
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA05
, 4K030EA11
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030JA04
, 4K030KA12
, 4K030KA23
, 4K030KA26
, 4K030LA15
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045EC01
, 5F045EF01
, 5F045EF14
, 5F045EJ04
, 5F045EK07
