特許

J-GLOBAL ID：200903019480020977

成膜方法

発明者： 塩澤 順一 ,  布野 栄 ,  石原 勝則 ,  櫻井 良信 ,  綱島 祥隆 ,  齋田 繁彦 ,  犬宮 誠治 ,  小澤 良夫 ,  池川 寛晃 ,  米川 司 ,  齋藤 幸正
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-282013
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100809
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 複数層よりなる絶縁膜を同一の成膜装置内で連続的に形成でき、しかも、薄くても非常に絶縁性に優れた絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】 被処理体の表面に、少なくともシリコン酸化膜とシリコンナイトライド膜を含む絶縁層を形成する成膜方法において、原料ガスの一部にSiCl4 ガスを用いてCVD法によりシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、原料ガスの一部にSiCl4 ガスを用いてCVD法によりシリコンナイトライド膜を形成するシリコンナイトライド膜形成工程とを有し、前記両工程を同一の熱処理装置内で連続的に行なう。これにより、複数層よりなる絶縁膜を同一の成膜装置内で連続的に形成でき、しかも、薄くても非常に絶縁性に優れた絶縁膜を形成する。

請求項（抜粋）：

被処理体の表面に、少なくともシリコン酸化膜とシリコンナイトライド膜を含む絶縁層を形成する成膜方法において、原料ガスの一部にSiCl4 ガスを用いてCVD法によりシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、原料ガスの一部にSiCl4 ガスを用いてCVD法によりシリコンナイトライド膜を形成するシリコンナイトライド膜形成工程とを有し、前記両工程を同一の熱処理装置内で連続的に行なうようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/316 M ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/318 M

Fターム (30件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA24 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  4K030LA02 ,  5F058BA11 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF55 ,  5F058BF60 ,  5F058BF64 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-101049   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-107463
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-310841   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-167092   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-101049   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-107463
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-310841   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-167092   出願人：株式会社東芝