特許
J-GLOBAL ID：200903080417363679

半導体装置およびその製造方法

発明者：
齋田 繁彦

齋田 繁彦 について

, 
綱島 祥隆

綱島 祥隆 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-167092
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074485
出願日： 1998年06月15日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】キャパシタ絶縁膜としてシリコン窒化膜を用いたキャパシタにおけるリーク電流を低減化を図ること。【解決手段】減圧CVD法によりシリコン窒化膜4を形成する際に、原料ガスとして四塩化シリコンとアンモニアとの混合ガスを使用することにより、シリコン窒化膜4がSi-H結合を実質的に含まないようにし、シリコン窒化膜4中の水素面密度を1×1015cm-2以下とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたシリコン窒化膜と、を具備し、前記シリコン窒化膜は、Si-H結合を実質的に含まないことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/318
FI (5件)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 625 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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