特許
J-GLOBAL ID：200903019487390800
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
宮井 暎夫
, 伊藤 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-006899
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221320
出願日： 2003年01月15日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】COF(チップオンフィルム)工法を用いた半導体装置において、半導体チップの電極パッドおよびバンプが狭ピッチで千鳥配列されていると、樹脂封止時にバンプ近辺にボイドが発生するという問題があった。【解決手段】突起パターン4を、千鳥配列された電極パッド2およびバンプ5の少なくとも半導体チップ1の中央側の列の間の半導体チップ1表面またはフィルム基材の表面に形成する。これにより、半導体チップ1とフィルム基材とを接続しその間に樹脂を注入する際に、突起パターン4に伝わって樹脂が進行し、半導体チップ1の中央側の列のバンプ5間の樹脂の流れが助長されるので、バンプ5近辺のボイドの発生を防止することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
矩形状の表面に配列された複数の電極上にそれぞれ突起電極が形成されかつ前記複数の電極および突起電極のうち前記矩形状の表面の少なくとも一辺に沿った電極および突起電極が千鳥状に配列された半導体チップの前記表面と、配線電極が形成されたフィルム基板の表面とが対向配置されて前記突起電極と前記配線電極とが接続され、前記半導体チップと前記フィルム基板との間に樹脂が形成された半導体装置であって、
前記千鳥状に配列された突起電極のうち、少なくとも前記半導体チップの中央側に近い列の突起電極どうしの間の前記半導体チップの表面または前記フィルム基板の前記配線電極が形成された表面に、突起パターンが形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/28 Z
, H01L21/56 E
4M109AA01
, 4M109BA05
, 4M109CA05
, 4M109DB12
, 4M109DB17
, 4M109EE03
, 5F061AA01
, 5F061BA05
, 5F061CA05
, 5F061CB12
