特許

J-GLOBAL ID：200903019490864081

低金属汚染の基板処理用部材

発明者： 鈴木 敦 ,  大滝 浩通 ,  岸 幸男
出願人/特許権者： 株式会社日本セラテック ,  太平洋セメント株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-368827
公開番号（公開出願番号）：特開2001-179080
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】 ハロゲンガスプラズマ環境下での耐食性に優れるのみならず、金属汚染の度合いが低い低金属汚染の基板処理用部材を提供すること。【解決手段】 ハロゲンガスプラズマにより基板を処理する装置に用いられる基板処理用部材であって、ハロゲンガスプラズマに曝される部位が相対密度94%以上、純度99.5%以上のY2O3で構成される。

請求項（抜粋）：

ハロゲンガスプラズマにより基板を処理する装置に用いられる基板処理用部材であって、ハロゲンガスプラズマに曝される部位が相対密度94%以上、純度99.5%以上のY2O3で構成されることを特徴とする、低金属汚染の基板処理用部材。

IPC (2件)：

B01J 19/08 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

B01J 19/08 E ,  H01L 21/302 B

Fターム (15件)：

4G075AA22 ,  4G075BA05 ,  4G075BA06 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075CA51 ,  4G075FB01 ,  4G075FC09 ,  4G075FC13 ,  5F004AA13 ,  5F004AA16 ,  5F004BB21 ,  5F004BB29 ,  5F004DA00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体素子製造装置用部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-015832   出願人：京セラ株式会社
• 耐食性部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-328449   出願人：京セラ株式会社
• 複合金属酸化物粉末およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-209210   出願人：住友化学工業株式会社