特許
J-GLOBAL ID：200903063755804069

半導体素子製造装置用部材

発明者：
高坂 祥二

高坂 祥二 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015832
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214365
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】ハロゲン化ガスやそのプラズマに対して優れた耐食性を具備しつつ、腐食の進行によってパーティクルが発生しても、半導体製造に対して悪影響を及ぼすことのない半導体製造装置用耐食性部材を提供する。【解決手段】半導体ウエハに対してCF4 、SF6 、BCl3 などのハロゲン系ガス或いはそのプラズマにより処理を施し高集積回路素子等の半導体素子を製造するための装置内に設置される部材であって、少なくとも前記ハロゲン系ガス或いはそのプラズマに曝される表面を、相対密度が97%以上、最大結晶粒子径が前記半導体素子における配線パターンの最小線幅よりも小さい、特に200nm以下である耐食性セラミックスによって形成する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハに対してハロゲン系ガス或いはそのプラズマにより処理を施し半導体素子を製造するための装置内に設置される部材であって、少なくとも前記ハロゲン系ガス或いはそのプラズマに曝される表面が、相対密度97%以上、最大結晶粒子径が前記半導体素子における配線パターンの最小線幅よりも小さい耐食性セラミックスによって形成されていることを特徴とする半導体素子製造装置用部材。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68
FI (4件)：
H01L 21/302 B ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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