特許
J-GLOBAL ID：200903019508536761

透明導電性薄膜製造用スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者：
和気 理一郎

和気 理一郎 について


出願人/特許権者：
住友金属鉱山株式会社

住友金属鉱山株式会社 について


代理人 (1件)： 鴨田 哲彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-178688
公開番号（公開出願番号）：特開2006-002202
出願日： 2004年06月16日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 スパッタリングターゲットの強度を向上させることができ、スパッタリングターゲットの割れがなく、高密度のスパッタリングターゲットを製造することが可能な透明導電性薄膜製造用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】 比表面積が1m2/g以上20m2/g以下である酸化インジウム粉末に、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、スズ(Sn)およびタングステン(W)からなる群より選ばれた少なくとも一種以上の金属粉末または酸化物粉末を混合し、得られた混合粉末を使用して、ホットプレスを行う。好ましくは、酸化インジウム粉末の比表面積が、15m2/g以下であり、さらに好ましくは、6m2/g以下である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
比表面積が1m2/g以上20m2/g以下である酸化インジウム粉末に、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、スズ(Sn)およびタングステン(W)からなる群より選ばれた少なくとも一種以上の金属粉末および/又は酸化物粉末を混合し、得られた混合粉末を使用して、ホットプレスを行うことによりスパッタリングターゲットを製造する方法。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  C04B 35/00 ,  H01L 31/04
FI (4件)：
C23C14/34 A ,  C04B35/00 J ,  H01L31/04 H ,  H01L31/04 M
Fターム (22件)：
4G030AA16 ,  4G030AA20 ,  4G030AA23 ,  4G030AA24 ,  4G030AA26 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA37 ,  4G030AA38 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA04 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4G030GA29 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5F051CB27 ,  5F051FA02 ,  5F051FA24
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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