薄膜トランジスタ液晶表示装置のゲートドライバに用いられるシングルエンド型高電圧レベルシフタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西正悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197899
公開番号（公開出願番号）：特開2002-300026
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ゲートドライバのチップ面積を更に減らし、ゲートドライバICの製造コストを大幅に削減できる薄膜トランジスタ液晶表示装置のゲートドライバに用いられるシングルエンド型高電圧レベルシフタを提供する。【解決手段】高電源電圧VDDと低電源電圧VSSと、第1低電圧NMOSトランジスタM7と、高電圧NMOSトランジスタM2と、第1高電圧PMOSトランジスタM1と、を備えている。第1低電圧NMOSトランジスタM7は、ゲートが入力信号を受け、ソースが低電源電圧VSSに接続され、高電圧NMOSトランジスタM2のゲートは第1基準電圧を受け、ソースが第1低電圧NMOSトランジスタのドレインに接続されている。第1高電圧PMOSトランジスタM1は、ゲートがこの第1高電圧PMOSトランジスタM1のオン状態を保持し、第2基準電圧を受け、ソースが高電源電圧VDDに接続され、ドレインが前記高電圧NMOSトランジスタM2のドレインに接続される。

請求項（抜粋）：

高電源電圧及び低電源電圧と、ゲートが入力信号を受け、ソースが前記低電源電圧に接続されている第1低電圧NMOSトランジスタと、ゲートが前記入力信号と前記高電源電圧との間のレベルを有する第1基準電圧を受け、ソースが前記第1低電圧NMOSトランジスタのドレインに接続されている高電圧NMOSトランジスタと、ゲートがこの第1高電圧PMOSトランジスターのオン状態を保持し前記第1基準電圧より高いレベルを有する第2基準電圧を受け、ソースが前記高電源電圧に接続され、ドレインが、前記高電圧NMOSトランジスタのドレインに接続され、レベルシフターの出力端子として次段の出力ドライバに接続されている第1高電圧PMOSトランジスタと、を備えていることを特徴とする、薄膜トランジスタ液晶表示装置のゲートドライバに用いられるシングルエンド型高電圧レベルシフタ。

IPC (4件)：

H03K 19/0185 , G09G 3/20 612 , G09G 3/20 621 , G09G 3/36

FI (4件)：

G09G 3/20 612 D , G09G 3/20 621 M , G09G 3/36 , H03K 19/00 101 B

Fターム (19件)：

5C006BB16 , 5C006BF34 , 5C006BF42 , 5C006BF46 , 5C006FA41 , 5C080AA10 , 5C080BB05 , 5C080DD22 , 5C080FF11 , 5C080JJ03 , 5J056AA00 , 5J056AA32 , 5J056BB59 , 5J056CC21 , 5J056DD12 , 5J056EE12 , 5J056FF07 , 5J056FF08 , 5J056GG09

引用特許：

出願人引用 (9件)

出力回路および入力回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-330274 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
信号電圧レベル変換回路及び出力バッファ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-095297 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開昭56-001557

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