半導体ウェーハ評価装置及び方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-553820
公開番号（公開出願番号）：特表2002-517915
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2002年06月18日
要約：

【要約】本発明の装置及び方法は、半導体ウェーハを評価する際に用いられる物性値(例えば、移動度、ドーピング及び寿命のうちの1つ或いは複数)を測定するために拡散変調(キャリアの波を生成することなく)を用いる。その測定は、集積回路ダイ用のパターンを有するウェーハ上で用いるための、小さな領域において実行される。その測定は、例えばキャリア濃度の関数としての、反射度の測定に基づいている。一実施形態では、半導体ウェーハ(106)は、2つのビーム(151、152)で照射される。ビームの一方は、半導体のバンドギャップエネルギより高いエネルギのフォトンを有し、もう一方は、バンドギャップ近傍、或いはそれ以下のエネルギのフォトンを有する。互いに対する2つのビームの直径は、例えば寿命を測定する際に用いるための、半導体材料についての付加情報を抽出するために、変更される。

請求項（抜粋）：

ウェーハを評価するための装置であって、第1のフォトンビームを発生し、かつ該第1フォトンビームがウェーハの或る領域に入射したときに、電荷キャリアの波が前記領域に発生しない程度に十分に低い周波数をもって変調された第1の強度を前記第1フォトンビームに与えるような第1のソースと、第2のフォトンビームを発生し、かつ該第2フォトンビームがウェーハの前記領域に入射したときに、無視し得る数を超えないような電荷キャリアが前記領域に発生する程度に、前記第1ビームのフォトンよりも十分に低いエネルギを前記第2ビームのフォトンに与えるような第2のソースと、前記第2ビームの、前記領域により反射された後に前記周波数にて変調された部分の光路内に配置された光電性素子とを有し、前記光電性素子が、前記第1ビームの入射により前記領域内に形成された電荷キャリアの第1の濃度を表す第1の信号を発生することを特徴とする装置。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , H01L 21/265 , G01N 21/00

FI (5件)：

H01L 21/66 L , H01L 21/66 N , H01L 21/66 P , G01N 21/00 B , H01L 21/265 T

Fターム (38件)：

2G059AA03 , 2G059AA05 , 2G059BB16 , 2G059CC20 , 2G059EE02 , 2G059EE05 , 2G059FF01 , 2G059FF03 , 2G059FF08 , 2G059GG01 , 2G059GG03 , 2G059GG04 , 2G059HH01 , 2G059HH06 , 2G059JJ02 , 2G059JJ07 , 2G059JJ11 , 2G059JJ19 , 2G059JJ22 , 2G059JJ30 , 2G059KK03 , 2G059KK04 , 2G059MM01 , 2G059MM05 , 2G059MM07 , 2G059MM09 , 2G059MM14 , 2G059PP04 , 4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106BA14 , 4M106CA10 , 4M106CB02 , 4M106CB11 , 4M106CB12 , 4M106DH01 , 4M106DH12 , 4M106DH31

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭60-256031
特開昭61-223543
特開昭60-256031

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