特許
J-GLOBAL ID：200903019543614333

プラズマ処理装置用部材及びその製造方法

発明者：
松之迫 等

松之迫 等 について

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伊東 裕見子

伊東 裕見子 について

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高坂 祥二

高坂 祥二 について

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中原 正博

中原 正博 について

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濱田 敏幸

濱田 敏幸 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-050260
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252260
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】不純物のコンタミやパーティクルの発生が問題となる高密度プラズマ中で、コンタミネーションやパーティクルを発生せず、従来材料よりも長時間のプラズマ耐食性を有するため、半導体製造の歩留まり向上とともに高品質の半導体素子を作製できる。【解決手段】純度99.9%以上、水酸基の含有率が5ppm以下、平均粒径5μm以下の高純度SiO2 粉末に有機バインダを添加し成形した成形体を酸化性雰囲気中にて600〜900°Cで酸化処理した後、真空中あるいは非酸化雰囲気中にて1300〜1600°Cで焼成し、水酸基含有率が5ppm以下、密度2.15g/cm3 以上、カーボン量が200ppm以下のSiO2 焼結体を得、これをプラズマ処理装置用部材として用いる。
請求項（抜粋）：
水酸基含有率が5ppm以下、密度2.15g/cm3 以上、カーボン量が200ppm以下のSiO2 焼結体からなることを特徴とするプラズマ処理装置用部材。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 21/302 B ,  H01L 21/205
Fターム (28件)：
5F004AA00 ,  5F004BB11 ,  5F004BB23 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F004BC08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA20 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AC02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AF01 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045BB15 ,  5F045EB03 ,  5F045EC05 ,  5F045EF11 ,  5F045EH08 ,  5F045EM09
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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