特許
J-GLOBAL ID：200903033129695987

プラズマ装置およびこれを用いたドライエッチング方法

発明者：
岸本 喜芳

岸本 喜芳 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-273143
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115884
出願日： 1995年10月20日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 1台でポリサイド膜加工と絶縁膜加工の両方に対応可能なプラズマ装置を構成し、O* (酸素ラジカル)生成量の制御性を高めたドライエッチングを行う。【解決手段】 トライオード型プラズマ・エッチング装置の側壁電極5を覆うチャンバ1の側壁がアルミナ系セラミクスからなる場合に、この側壁に対して同心的かつ近接するごとく合成石英からなる昇降式側壁保護リング14を配する。アクチュエータ16を駆動してこのリング14を最高レベルに上昇させると、プラズマPとの接触によりリング14を構成する石英がスパッタされ、O* が供給されてポリサイド膜加工に適した条件となる。逆に最低レベルに下降させると、チャンバ側壁を構成するアルミナ系セラミクスが露出するので、O* は供給されず絶縁膜加工に適した条件となる。リング14の昇降量により、O* 生成量が制御できる。
請求項（抜粋）：
基板を収容するチャンバと、該チャンバの天井部を構成する上部電極と、該チャンバの側壁の少なくとも一部に沿って設けられる側壁電極とを備え、該上部電極と該側壁電極との間に印加される電界により励起されるプラズマを用いて該基板に所定のプラズマ処理を行うプラズマ装置であって、前記チャンバ内に前記プラズマと接触しても酸素系化学種を放出しない第1部材と、該プラズマとの接触により酸素系化学種を放出する第2部材とが配され、かつ該第1部材と該第2部材の各プラズマ接触面積の相対比率を可変となす制御手段が設けられたプラズマ装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 G ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM