特許
J-GLOBAL ID：200903019574391847

窒化物半導体発光素子ならびにそれを用いた光学装置および発光装置

発明者：
津田 有三

津田 有三 について

, 
伊藤 茂稔

伊藤 茂稔 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-121309
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314205
出願日： 2001年04月19日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 As、PまたはSbを含む窒化物半導体を発光層に用いた発光素子について、その発光効率または発光強度を向上させる。【解決手段】 当該発光素子は、基板100と、基板上に形成された、n型窒化物半導体層102〜105およびp型窒化物半導体層107〜110と、n型半導体層102〜105とp型半導体層107〜110との間に配置された発光層106とを備える。発光層106を構成する井戸層は、Nおよび元素X(ここで、元素Xは、AS、PまたはSb)を含む窒化物半導体からなり、該井戸層の窒化物半導体において、式{NX/(NN+NX)}×100(%)(式中、NXは元素Xの数を表し、NNはNの数を表す)で表される原子百分率は30%以下であり、かつ該井戸層の厚みは0.4nm以上4.8nm以下である。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された、n型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間に配置された井戸層とを備え、前記井戸層は、少なくともNおよび元素X(ここで、元素Xは、As、PおよびSbよりなる群から選ばれる1種類以上の元素である)を含む窒化物半導体からなり、前記井戸層の前記窒化物半導体において、式{NX/(NN+NX)}×100(%)(式中、NXは前記元素Xの数を表し、NNは前記Nの数を表す)で表される原子百分率は30%以下であり、かつ前記井戸層の厚みが0.4nm以上4.8nm以下であることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 L
Fターム (22件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041FF16 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB18 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073EA07 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (5件)
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