特許
J-GLOBAL ID：200903019617294247

SAWチップ及びこれを利用したSAWデバイスの製造方法

発明者：
前田 佳男

前田 佳男 について

, 
春日 真弓

春日 真弓 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-217417
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033633
出願日： 2000年07月18日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 SAWチップをベースに組み込む工程においても異常な周波数変動を生じることなく、信頼性の高いSAWチップとこれを利用したSAWデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】 圧電基板111にドライエッチングにより電極パターンを形成するSAWチップ110の製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金により電極膜23を形成する電極膜形成工程ST1と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程ST2と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程ST3とを含んでいる。
請求項（抜粋）：
圧電基板にドライエッチングにより電極パターンを形成するSAWチップの製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金により電極膜を形成する電極膜形成工程と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程とを含んでいることを特徴とするSAWチップの製造方法。
IPC (4件)：
H03H 3/10 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 647 ,  H03H 9/145
FI (4件)：
H03H 3/10 ,  H01L 21/304 647 Z ,  H03H 9/145 C ,  H01L 21/302 G
Fターム (17件)：
5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DB03 ,  5F004DB09 ,  5F004EA29 ,  5J097AA28 ,  5J097DD29 ,  5J097HA02 ,  5J097HA07 ,  5J097HB03 ,  5J097KK01 ,  5J097KK09 ,  5J097KK10
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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