特許

J-GLOBAL ID：200903019664387172

有機EL表示装置

発明者： 奥中 正昭 ,  加藤 真一 ,  古家 政光 ,  甲斐 和彦 ,  大岡 浩
出願人/特許権者： 株式会社 日立ディスプレイズ ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-129751
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335276
出願日： 2003年05月08日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】リーク電流の発生およびダークスポットを憂えることなく、発生光取り出し効率を向上させる。【解決手段】基板の画素領域に少なくとも一方の電極、発光材料層、他方の電極が積層されて形成され、前記一方の電極は透光性の導電層から構成され、この一方の電極の下層に形成された絶縁膜の表面に微小円錐形状の凹凸が形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の画素領域に少なくとも一方の電極、発光材料層、他方の電極が積層されて形成され、前記一方の電極は透光性の導電層から構成され、 この一方の電極の下層に形成された絶縁膜の表面に微小円錐形状の凹凸が形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。

IPC (2件)：

H05B33/02 ,  H05B33/14

FI (2件)：

H05B33/02 ,  H05B33/14 A

Fターム (7件)：

3K007AB03 ,  3K007BA06 ,  3K007BB06 ,  3K007CA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007FA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

• EL素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-348235   出願人：株式会社デンソー
• ポリシリコン薄膜半導体およびポリシリコン薄膜半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-098656   出願人：松下電器産業株式会社
• 有機エレクトロルミネッセンス発光素子、それを用いた表示装置または発光源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-057763   出願人：松下電器産業株式会社
• 有機EL素子用透明性基板および有機EL素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-275015   出願人：日産化学工業株式会社
• 有機EL表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-286284   出願人：株式会社日立製作所