特許
J-GLOBAL ID：200903019698962613

半導体装置及びその製造方法

発明者：
片岡 光浩

片岡 光浩 について

, 
小島 淳

小島 淳 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-120688
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318409
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 トレンチゲート構造の炭化珪素半導体装置において、低オン抵抗である半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板表面が(11-20)面であるSiCウェハ1を用い、トレンチ7を側面7aが(0001)面、底面7bが(11-20)となるように形成する。そして、このトレンチ7内壁の表面上にエピタキシャル成長にてN-型チャネル層8を形成する。これにより、N-型チャネル層8のうち、トレンチ底面7b上の部分8bの不純物濃度をトレンチ側面7aの部分8aよりも高くすることができる。このため、ゲート電圧印加時において、N-型チャネル層8のトレンチ底面7b側の部分8bに、電流を多く流すことができる。
請求項（抜粋）：
主表面と裏面とを有する半導体基板(6、36)と、前記半導体基板(6、36)主表面から所定深さにて形成され、側面と底面とを有するトレンチ(7、37)と、前記トレンチ(7、37)の内壁面上に形成されたチャネル層(8、38)とを備える炭化珪素半導体装置であって、前記チャネル層(8、38)のうち、前記トレンチ底面(7b、37b)上に形成されている部分(8b、38b)は、前記トレンチ側面(7a、37a)上に形成されている部分(8a、38a)よりも不純物濃度が高いことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/80 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/808
FI (5件)：
H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/80 V ,  H01L 29/80 C
Fターム (15件)：
5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB04 ,  5F102GC05 ,  5F102GC07 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GR01 ,  5F102GR06 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC18 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM