炭化けい素UMOS半導体素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-248115
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077358
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】高耐圧で製造の容易なSiCからなるトレンチ型(U)MOS半導体素子を提供する。【解決手段】pベース領域22の深さより浅いトレンチ24を形成し、そのトレンチ24の底部に、イオン注入および熱処理により、nドリフト領域21bに達するn底部領域20aを形成する。また、トレンチ24の側壁部分に、イオン注入および熱処理により、nサイドウォール領域20bを形成する。

請求項（抜粋）：

炭化けい素サブストレート上に積層された炭化けい素からなる第一導電型ドリフト層および第二導電型ベース領域と、その第二導電型ベース領域の表面層の一部に互いに隔離して形成された第一導電型ソース領域と、第一導電型ソース領域の表面から掘り下げられたトレンチと、そのトレンチ内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極層と、第一導電型ソース領域と第二導電型ベース領域との表面に共通に接触して設けられたソース電極と、炭化けい素サブストレートの裏面に設けられたドレイン電極とを有する炭化けい素UMOS半導体素子において、トレンチの深さが、第二導電型ベース領域より浅いことを特徴とする炭化けい素UMOS半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 29/74 , H01L 21/332 , H01L 29/749 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 652 E , H01L 29/74 X , H01L 29/74 301 , H01L 29/74 601 A , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 658 A

Fターム (12件)：

5F005AA03 , 5F005AB03 , 5F005AC02 , 5F005AD01 , 5F005AE07 , 5F005AE09 , 5F005AH02 , 5F005AH04 , 5F005BA02 , 5F005BB01 , 5F005BB02 , 5F005GA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-194917 出願人：株式会社東芝
トレンチ型MOS半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-177885 出願人：富士電機株式会社
炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-358221 出願人：株式会社デンソー

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