特許
J-GLOBAL ID：200903019765413972
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244257
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216164
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 III 族窒化物よりなる半導体層から、該半導体層に欠陥を生じさせることなく、短時間で且つ確実に低抵抗のp型層を得られるようにする。【解決手段】 まず、サファイアよりなる基板11上に、GaNよりなるn型コンタクト層13、AlGaNよりなるn型クラッド層14、InGaNよりなる活性層15、AlGaNよりなる第1のMgドープ層16A及びGaNよりなる第2のMgドープ層17Aを順次成長させる。その後、第2のMgドープ層17Aを形成した基板11を窒素プラズマに40分間程度さらす。その結果、第1のMgドープ層16A及び第2のMgドープ層17AにドープされたアクセプタとなるMgが活性化することにより、第1のMgドープ層16A及び第2のMgドープ層17Aから、それぞれ、低抵抗で且つ結晶性に優れるp型クラッド層16B及びp型コンタクト層17Bを得ることができる。
請求項（抜粋）：
基板の上に、不純物を含むIII 族窒化物よりなる半導体層を形成する第1の工程と、前記基板の温度を約600°C以下に保ちながら、前記半導体層をプラズマにさらすことにより、前記半導体層の導電型をp型とする第2の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/324
, H01L 21/22
, H01L 33/00
H01L 21/324 P
, H01L 21/22 C
, H01L 21/22 E
, H01L 33/00 C
