特許

J-GLOBAL ID：200903019862557520

III族窒化物半導体で構成されたHFETおよびその製造方法

発明者： 小嵜 正芳 ,  池本 由平 ,  園山 貴広 ,  三輪 浩士
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-169750
公開番号（公開出願番号）：特開2009-010142
出願日： 2007年06月27日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：

【課題】バッファリーク電流を低減する。【解決手段】HFET10は、SiC基板1上に、AlN層2、グレーテッドAlGaN層3、GaN層4、Al組成比が20%のAlGaN層5が順次積層され、AlGaN層5上にソース電極6、ゲート電極7、ドレイン電極8がそれぞれ分離して形成された構造である。また、グレーテッドAlGaN層3のAl組成比は、AlN層2からGaN層4に向かって30%から5%まで漸減している。このグレーテッドAlGaN層3を設けたことにより、AlN層2とGaN層4との間に生じる歪は抑制される。そのため、HFET10はバッファリーク電流が抑制された構造である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にAlNからなる第1層を介してGaNからなる第2層が形成され、前記第2層上には前記第2層と接合する障壁層である第3層が形成された、III 族窒化物半導体で構成されたHFETにおいて、 前記第1層と前記第2層の間には、Alx Ga1-x N(0≦x≦1)からなり前記第1層および前記第2層それぞれに接合する第4層を有し、 前記第4層は、Al組成比が前記第1層側から前記第2層側に向かって漸減する層であることを特徴とするHFET。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/205

Fターム (23件)：

5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-005093   出願人：松下電器産業株式会社
• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-037381   出願人：豊田合成株式会社

審査官引用 (1件)

• へテロ接合トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-550289   出願人：クリーインコーポレイテッド