特許
J-GLOBAL ID：200903019870784978
半導体インゴットの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-249322
公開番号（公開出願番号）：特開2007-063049
出願日： 2005年08月30日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】 溶融のタイミングが検知容易な種結晶を用いた半導体インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】 鋳型1の底部に半導体融液が結晶化する基となる種結晶10を配設し、該種結晶10上で鋳型1内壁全周に周縁部が当接するように熱緩衝部材9を配設する工程Aと、鋳型1内で熱緩衝部材9上に、前記半導体融液を供給する工程Bと、熱緩衝部材9全体及び種結晶10の少なくとも一部を溶融させ、該種結晶10の溶融部位に前記半導体融液を結晶化させて半導体インゴットを形成する工程Cとを有する半導体インゴットの製造方法とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
鋳型の底部に半導体融液が結晶化する基となる種結晶を配設し、該種結晶上で前記鋳型内壁全周に周縁部が当接するように熱緩衝部材を配設する工程Aと、
前記鋳型内で前記熱緩衝部材上に、前記半導体融液を供給する工程Bと、
前記熱緩衝部材全体及び前記種結晶の少なくとも一部を溶融させ、該種結晶の溶融部位に前記半導体融液を結晶化させて半導体インゴットを形成する工程Cと、を有する半導体インゴットの製造方法。
IPC (3件)：
C01B 33/02
, C30B 11/14
, C30B 29/06
C01B33/02 Z
, C30B11/14
, C30B29/06 501Z
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072GG01
, 4G072HH01
, 4G072MM38
, 4G072RR13
, 4G072RR21
, 4G072RR23
, 4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CD08
, 4G077ED01
, 4G077EH07
, 4G077MB14
, 4G077MB33
