特許
J-GLOBAL ID：200903019899789430

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
神田 博美

神田 博美 について

, 
割石 幸司

割石 幸司 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-263215
公開番号（公開出願番号）：特開2008-083384
出願日： 2006年09月27日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】半導体デバイスの製造において、ArFやKrFを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し、経時安定性、エッチング耐性に優れたポジ型レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法。【解決手段】(A)樹脂の主骨格中に、特定のシロキサン構造を含む、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)樹脂の主骨格中に、下記一般式(I)で表されるシロキサン構造を含む、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/075 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/075 511 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (13件)：
2H025AA09 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF30 ,  2H025BG00 ,  2H025DA13 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41
引用特許：
出願人引用 (7件)
  • 特公平7-99435号公報
  • 欧州特許第5856071号明細書
  • パターン形成材料及びパターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-117688   出願人：松下電器産業株式会社
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