電圧制御型半導体装置とその製法及びそれを用いた電力変換装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：東島隆治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056272
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252475
出願日： 1999年03月03日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】高耐圧で低オン抵抗・低ノイズの電圧制御半導体装置を実現する。【解決手段】薄い活性領域の上下に、表面電圧制御ゲート半導体領域と中心付近に電流通路を有する埋め込み電圧制御ゲート半導体領域を具備せしめた半導体装置において、電圧制御ゲート半導体領域は活性領域及びソース領域と反対極性の半導体領域で構成し、薄い活性領域の両端にソース領域を表面電圧制御ゲート半導体領域よりもその表面と底面がそれぞれ低位置でかつ端部が同電位になるように埋め込み電圧制御ゲート半導体領域上に具備せしめる構造にする。

請求項（抜粋）：

第1の導電型及び第2の導電型の内のいずれか一方の高不純物濃度の半導体基板、前記半導体基板の上に形成した、低不純物濃度の第1の導電型及び第2の導電型の内のいずれか一方のドリフト層、前記ドリフト層の表面の一部分に形成した、第2の導電型及び第1の導電型の内のいずれか一方の埋め込み電圧制御ゲート半導体領域、前記埋め込み電圧制御ゲート半導体領域の上面の一部分を含みドリフト層の上面に形成した第1の導電型及び第2の導電型の内のいずれか一方の薄い活性領域、前記埋め込み電圧制御ゲート半導体領域の上面において、前記活性領域内に形成した、第2の導電型及び第1の導電型の内のいずれか一方のゲートコンタクト半導体領域、前記活性領域の表面に形成した第1の導電型及び第2の導電型の内のいずれか一方の第1の半導体領域、前記第1の半導体領域に形成した第1の電極、前記活性領域の表面に形成した、第2の導電型及び第1の導電型の内のいずれか一方の表面電圧制御ゲート半導体領域及びゲートコンタクト半導体領域、前記表面電圧制御ゲート半導体領域及びゲートコンタクト半導体領域にそれぞれ形成したゲート電極、及び前記半導体基板の、前記ドリフト層を有する面の反対面に形成した第2の電極を少なくとも備える電圧制御型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/80 , H01L 29/74 , H01L 29/749

FI (4件)：

H01L 29/80 V , H01L 29/74 M , H01L 29/74 D , H01L 29/74 601 B

Fターム (26件)：

5F005AA01 , 5F005AB01 , 5F005AB03 , 5F005AC02 , 5F005AE01 , 5F005AE07 , 5F005AF01 , 5F005AH02 , 5F005CA05 , 5F005GA01 , 5F102FA01 , 5F102FA03 , 5F102FB01 , 5F102GA01 , 5F102GA14 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GC08 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GV05 , 5F102HA02 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC15

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭59-052882
特開昭53-050684
特開平3-198382

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審査官引用 (9件)

特開昭59-052882
特開昭59-052882
特開昭53-050684

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