特許
J-GLOBAL ID：200903019949639728
半導体装置の作製方法および半導体装置の作製装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-230742
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125197
出願日： 1995年08月16日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 劣化・経時変化の少ない薄膜トランジスタ(TFT)を得るためのゲイト絶縁膜を400〜700°C、好ましくは、450〜650°Cの低温で得る方法を提供する。【構成】 500〜700°Cの温度で得られた熱酸化膜もしくはCVD法やPVD法によって結晶性珪素の活性層上に堆積した酸化珪素膜を紫外光によって励起もしくは分解させた窒素酸化物(N2 O等)もしくは窒化水素(NH3 等)雰囲気において400〜700°Cの温度でアニールすることによって酸化膜中、特に珪素と酸化珪素の界面に多量に存在する珪素-水素結合(Si-H) を、珪素-窒素結合 (Si≡N)等に置き換えることによって、該酸化珪素膜をホットエレクトロン等に耐えられるだけの丈夫なものとし、これをゲイト絶縁膜として用いる。
請求項（抜粋）：
結晶性の島状珪素領域を覆って形成された熱酸化膜、もしくはCVD法もしくはPVD法によって島状珪素領域を覆って堆積された酸化珪素を主成分とするゲイト絶縁膜に対して、紫外光によって励起もしくは分解せしめた窒素酸化物を有する雰囲気において、400〜700°Cのアニール処理をすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/316
, H01L 21/324
H01L 29/78 617 S
, H01L 29/78 617 V
