特許
J-GLOBAL ID：200903019968035027

窒化物半導体基板および窒化物半導体素子

発明者：
川野 義弘

川野 義弘 について

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小崎 徳也

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中村 修二

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出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067553
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266034
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【目的】 結晶欠陥が少なく、かつ電極を形成するのに十分なキャリア濃度を有する窒化物半導体基板と、その基板を有して、結晶欠陥が少なく窒化物半導体を積層できる新規な窒化物半導体素子の構造を提供する。【構成】 第1の主面と第2の主面とを有し、n型不純物がドープされた窒化物半導体を有し、かつ少なくとも一方の主面側に窒化物半導体が露出している窒化物半導体基板であって、その窒化物半導体基板には、前記第1の主面、若しくは第2の主面のいずれか一方に接近するに従って、n型不純物濃度が小さくなっている濃度勾配領域を有する。濃度勾配領域をコンタクト層とすると、どの濃度勾配領域を露出させても、その層がn+側となる。
請求項（抜粋）：
第1の主面と第2の主面とを有し、n型不純物がドープされた窒化物半導体を有し、かつ少なくとも一方の主面側に窒化物半導体が露出している窒化物半導体基板であって、その窒化物半導体基板には、前記第1の主面、若しくは第2の主面のいずれか一方に接近するに従って、n型不純物濃度が小さくなっている濃度勾配領域を有することを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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