3族窒化物半導体基板及び素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-150270
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312417
出願日： 1996年05月21日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】結晶性の良い3族窒化物半導体基板を得ること及び3族窒化物半導体素子の特性を改良すること。【解決手段】サファイア基板1の表面に0.05μmのAlN バッファ層20、膜厚約100 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のGaN 層200、サファイア基板1の裏面に0.05μmのAlN バッファ層30、膜厚約100 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のGaN 層300を形成する。その後、GaN 層300、バッファ層30、サファイア基板1、バッファ層20を機械研磨により除去して、GaN 基板200を得る。このGaN基板200に、3族窒化物半導体を積層して、発光ダイオードを得る。GaN の単結晶基板が得られるために、高い特性の素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体または絶縁体からなる基板の両面に、それぞれ少なくとも1層の3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN; 0≦X ≦1, 0≦Y ≦1, 0≦X+Y ≦1)を有する半導体層を形成する第1の工程と、基板および基板の一方の側に形成した半導体層を機械的に除去して、3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN; 0≦X ≦1, 0≦Y ≦1, 0≦X+Y ≦1)からなる半導体基板を得る第2の工程とを有することを特徴とする3族窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 27/12 S

引用特許：

審査官引用 (8件)

III族窒化物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-354572 出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
特開平4-273173
青色発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-238553 出願人：三菱電線工業株式会社

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