特許
J-GLOBAL ID：200903019975029113

窒化物半導体レーザ素子

発明者：
川野 義弘

川野 義弘 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-267759
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101193
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 垂直横モードの単一化が可能でファーフィールドパターンが良好な窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 素子構造を有する側とは反対の窒化物半導体基板5裏面の少なくともリッジ形状のストライプ201の真下であって且つ平行に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜202が形成されてなる。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板上に、n側窒化物半導体層、活性層、p側窒化物半導体層を順に積層形成してなる素子構造を有し、p側窒化物半導体層側から基板側にかけてエッチングして形成されたリッジ形状のストライプを有し、ストライプの最上層にp電極を有する窒化物半導体レーザ素子において、素子構造を有する側とは反対の窒化物半導体基板裏面の少なくともリッジ形状のストライプの真下であって且つ平行に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C
Fターム (22件)：
5F041AA06 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA91 ,  5F041CA92 ,  5F073AA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073DA30 ,  5F073EA18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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