特許
J-GLOBAL ID：200903019979793810

磁気抵抗効果装置およびその製造方法

発明者：
庄子 光治

庄子 光治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-232917
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054229
出願日： 2004年08月10日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：
【課題】磁界を効率よく記憶素子に集束させることができ、配線間のショートが防止された磁気抵抗効果装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】互いに平行に配置される複数の第1配線11と、第1配線11の上方に離間して配置されるとともに、互いに平行に配置される複数の第2配線12と、第1配線11と第2配線12との間の一領域に、磁気抵抗型のTMR素子13とを備えた磁気抵抗効果装置であって、各第2配線12上を覆うとともに、隣接する第2配線12間に連続して設けられた絶縁性の高透磁率材料からなる第2磁性体層22bを備えたことを特徴とする磁気抵抗効果装置およびその製造方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いに平行に配置される複数の第1配線と、前記第1配線の上方に離間して配置されるとともに、互いに平行に配置される複数の第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との間の一領域に、磁気抵抗型の記憶素子とを備えた磁気抵抗効果装置であって、 前記第2配線上を覆うとともに、隣接する前記第2配線間に連続して設けられた絶縁性の高透磁率材料からなる磁性体層を備えた ことを特徴とする磁気抵抗効果装置。
IPC (5件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L21/88 M
Fターム (27件)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH34 ,  5F033MM01 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033VV16 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA28 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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