特許
J-GLOBAL ID：200903034343688145

磁気記憶装置及びその製造方法

発明者：
細谷 啓司

細谷 啓司 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-352784
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249630
出願日： 2002年12月04日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】誤書き込みを抑制するとともに、選択セルへの磁場を集中させる。【解決手段】半導体記憶装置は、第1の方向に延在する第1の配線13と、この第1の配線13の上方に配置された記憶素子18と、この記憶素子18上に、第1の方向と異なる第2の方向に延在する第2の配線20と、この第2の配線20の側面及び記憶素子18の側面に形成された磁気シールド層21とを具備する。
請求項（抜粋）：
第1の方向に延在する第1の配線と、前記第1の配線の上方に配置された記憶素子と、前記記憶素子上に配置され、前記第1の方向と異なる第2の方向に延在する第2の配線と、前記第2の配線の側面及び前記記憶素子の側面に形成された第1の磁気シールド層とを具備することを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (5件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA15 ,  5F083NA08 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特願平11-238377号公報
審査官引用 (5件)
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