特許
J-GLOBAL ID：200903020002998080

半導体実装用絶縁回路基板

発明者：
長友 義幸

長友 義幸 について

, 
長瀬 敏之

長瀬 敏之 について

, 
島村 正一

島村 正一 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-325570
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144234
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 絶縁回路基板の温度サイクル寿命を延す。【解決手段】 セラミック基板11の両面のいずれか一方又は双方にAl-Si系又はAl-Ge系の金属層用ろう材12を介して金属層13が積層接着される。上記金属層13のマイクロビッカース硬度及び厚さをそれぞれHv及びT<SB>1</SB>(mm)とし、上記セラミック基板11の厚さ及び抗折強度をそれぞれT<SB>2</SB>(mm)及びS(MPa)とするとき、A=[Hv×T<SB>1</SB>/(T<SB>2</SB>×S)]<0.08という関係が成立するように構成される。
請求項（抜粋）：
セラミック基板(11)の両面のいずれか一方又は双方にAl-Si系又はAl-Ge系の金属層用ろう材(12,32)を介して金属層(13,33)が積層接着された半導体実装用絶縁回路基板において、前記金属層(13,33)のマイクロビッカース硬度及び厚さをそれぞれHv及びT<SB>1</SB>(mm)とし、セラミック基板(11)の厚さ及び抗折強度をそれぞれT<SB>2</SB>(mm)及びS(MPa)とするとき、A=[Hv×T<SB>1</SB>/(T<SB>2</SB>×S)]<0.08という関係が成立するように構成されたことを特徴とする半導体実装用絶縁回路基板。
IPC (2件)：
H01L 23/36 ,  H01L 23/15
FI (2件)：
H01L 23/36 C ,  H01L 23/14 C
Fターム (7件)：
5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F036BD03 ,  5F036BD13 ,  5F036BD14
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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