特許
J-GLOBAL ID：200903020024147076

多層配線基板及びその製造方法

発明者：
西本 昭彦

西本 昭彦 について

, 
尾崎 哲明

尾崎 哲明 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-330240
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133737
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】バイア導体と導体配線層との接続信頼性を向上させ、過酷な環境下においても特性劣化のない高信頼性の多層配線基板を得る。【解決手段】少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁層4と、該絶縁層4表面に埋設された導体配線層5と、導体配線層5間を接続するために貫通孔に金属粉末および有機成分を含む導体成分を充填されたバイア導体6とを具備する多層配線基板において、導体配線層5の少なくとも絶縁層4と接触する面に、亜鉛、クロム、ニッケルから選ばれる少なくとも1種の金属層7が形成されており、導体配線層5のバイア導体6の両端で接続される2つの導体配線層5のうち少なくとも片方の導体配線層における接続面に金属層7が形成されていないか、絶縁層4と接触する面における厚みよりも薄くする。
請求項（抜粋）：
少なくとも熱硬化性樹脂を含む複数の絶縁層を積層して形成された絶縁基板と、該絶縁層の表面あるいは絶縁層間に形成され複数の導体配線層と、少なくとも2つの導体配線層を接続するために前記絶縁層に形成された貫通孔に金属粉末および有機成分を含む導体成分を充填してなるバイア導体とを具備する多層配線基板において、前記導体配線層の少なくとも前記絶縁層と接触する面に、亜鉛、クロム、ニッケルから選ばれる少なくとも1種の金属層が形成されており、前記導体配線層の前記バイア導体の両端で接続される2つの導体配線層のうち少なくとも片方の導体配線層における接続面に前記金属層が形成されていないか、前記絶縁層と接触する面における厚みよりも薄い金属層が形成されていることを特徴とする多層配線基板。
IPC (2件)：
H05K 3/46 ,  H05K 3/38
FI (4件)：
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/38 C
Fターム (28件)：
5E343AA07 ,  5E343BB16 ,  5E343BB22 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB28 ,  5E343BB34 ,  5E343BB38 ,  5E343BB44 ,  5E343BB67 ,  5E343DD43 ,  5E343GG13 ,  5E346AA43 ,  5E346CC04 ,  5E346CC08 ,  5E346CC31 ,  5E346CC32 ,  5E346CC33 ,  5E346CC34 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD12 ,  5E346DD24 ,  5E346FF18 ,  5E346GG15 ,  5E346HH07
引用特許：
審査官引用 (3件)

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