特許
J-GLOBAL ID：200903020039536010
半導体薄膜の不純物濃縮装置及びその分析方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-239307
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306959
出願日： 1996年09月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 半導体薄膜試料を溶解せずに、半導体薄膜中の不純物を濃縮し、迅速、簡便かつ高感度な分析を行うことである。【解決手段】 第1の電位を第1の端子13に印加し、また、前記第1の電位と異なる第2の電位を第2の端子17に印加する直流電圧印加手段1と、半導体薄膜試料Sを外部と遮断する密閉容器3と、第1の端子13に電気的に接続され、密閉容器3内の前記半導体薄膜試料Sの一の面から保持する第1の電極5と、第2の端子17に電気的に接続され、密閉容器3内の半導体薄膜試料Sの他の表面近傍もしくは表面に設けられており、半導体薄膜試料Sの他の面近傍部が尖った形状を有する第2の電極7とを備えてある。
請求項（抜粋）：
半導体薄膜中に電位差を生じさせて該半導体薄膜中のイオン性不純物を電位差により該半導体薄膜の一部に濃縮するための電極と、前記半導体薄膜を外部と遮断する密閉容器と、を備えることを特徴とする半導体薄膜の不純物濃縮装置。
IPC (5件)：
H01L 21/66
, G01N 1/36
, G01N 23/223
, G01N 23/225
, G01N 23/227
H01L 21/66 L
, G01N 23/223
, G01N 23/225
, G01N 23/227
, G01N 1/28 Z
