特許
J-GLOBAL ID：200903047597482339

半導体装置

発明者：
河路 佐智子

河路 佐智子 について

, 
杉山 隆英

杉山 隆英 について

, 
臼井 正則

臼井 正則 について

, 
堀田 幸司

堀田 幸司 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について

, 
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-092975
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210047
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 エミッタ・コレクタ電極間の正孔キャリア濃度を高くしてオン電圧を低減する。【解決手段】 一対の主電極(エミッタ・コレクタ電極)と、その一対の主電極間を流れる電流のオン・オフを制御するトレンチゲート電極32を備えているIGBT(Insulated Bipolar Transistor)において、ボディ領域28とドリフト領域26の接合界面よりボディ領域28側にn型のフローティング半導体領域が形成されていることを特徴としている。さらに、このフローティング半導体領域40がボディコンタクト領域34に接して形成されているのが好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一対の主電極と、 一方の主電極と接続する第1導電型のボディコンタクト領域と、 その一方の主電極と接続する第2導電型の第2導電型半導体領域と、 そのボディコンタクト領域と第2導電型半導体領域の少なくとも一部と接する第1導電型のボディ領域と、 そのボディ領域と接するとともに、ボディコンタクト領域と第2導電型半導体領域からボディ領域によって隔てられている第2導電型のドリフト領域と、 前記第2導電型半導体領域とドリフト領域を隔てているボディ領域にゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極とを備えている半導体装置において、 ボディ領域とドリフト領域の接合界面よりボディ領域側に第2導電型のフローティング半導体領域及び/又は絶縁層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L29/78
FI (5件)：
H01L29/78 655A ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653A
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM