基板プロセス装置でのエッジ堆積を制御する移動可能リング

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-146214
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134884
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】内部に基板支持体が配置されているプロセスチャンバを備える基板プロセス装置。【解決手段】基板支持体は、加熱ペデスタルの形であり、それ自身とペデスタルの間の隙間を限定する除去可能なパージリングによって周囲を囲まれている。外側でペデスタルのエッジは、パージガスマニホールドで、パージリングとペデスタルの間の空洞の形である。マニホールドの低端は、加熱から膨張しパージリングの低端と接触するというプロセス温度で形成されるメカニカルシールの方法で密閉される。マニホールド上端は、パージリングとペデスタルによって限定される環帯内に対して開いている。マニホールドは、処理中に、パージガスが基板のエッジに対して放出されるように配置され、ガスはパージリングと基板支持体の間に限定される環帯を通して上むきに移動する。

請求項（抜粋）：

エッジを有する基板を支持するための装置であって、該装置がプロセスチャンバに、(a)基板を支持するための、外側面と基板受容面を有する基板支持体と、(b)着脱可能な基板支持体外周包囲リングであって、該基板支持体上に置かれた際に、パージガスを受容してパージガスの流れを該受容面上に支持されている基板のエッジの方へ向きを与えるためのパージガスマニホールドを前記基板支持体外周包囲リングと該基板サポートの間に画成する、前記基板支持体外周包囲リングとを備える装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 H , H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 R

引用特許：

審査官引用 (5件)

改良された化学気相蒸着チャンバ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-067474 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-145621 出願人：住友金属工業株式会社
特開平4-233221

全件表示

前のページに戻る