特許
J-GLOBAL ID：200903020067103064

半導体装置及びその製造方法

発明者：
赤川 雅俊

赤川 雅俊 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-004296
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196525
出願日： 2000年01月13日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置において、単一のパッケージに複数の半導体素子を実装するに際し、確実に且つコンパクトに構成可能とし、より効果的に高集積化及び高機能化を図ることを目的とする。【解決手段】 配線パターン(導体層)22,24,26と絶縁層23,25,27を交互に多層に形成し、各配線パターン間がビアホールVH1,VH2を介して電気的に接続されている多層配線基板20において、各絶縁層23,25,27内に半導体素子30を埋設・実装し、各半導体素子30を、当該絶縁層によって覆われた配線パターンに電気的に接続すると共に、多層配線基板20の面方向と直交する方向に積み重なるように配置する。
請求項（抜粋）：
配線パターンが形成された導体層が絶縁層を介して多層に形成され、前記配線パターン間が前記絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続されている多層配線基板と、該多層配線基板の各絶縁層内に埋設されて実装されている半導体素子とを備え、各半導体素子が、当該絶縁層によって覆われた配線パターンに電気的に接続されていると共に、前記多層配線基板の面方向と直交する方向に積み重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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