特許
J-GLOBAL ID：200903032595737553

窒化物系半導体レーザ装置

発明者：
板谷 和彦

板谷 和彦 について

, 
杉浦 理砂

杉浦 理砂 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-021333
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223790
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】プロセスの再現性にも優れ、低しきい値・低動作電圧・高信頼性で動作が可能など特性の良い窒化物系半導体レーザ装置を提供することにある。【解決手段】基板上に構成された少なくともAlxGa1-xN/AlyGa1-yN(0 <x ≦1,0 ≦y <1)からなる多重量子井戸構造、あるいは超格子構造を有する窒化物系半導体レーザ装置において障壁層となるAlxGa1-xN 層の一部あるいは全部の層、または井戸側層となるAlyGa1-yN においてAl組成が一様ではなく階段状あるいはグレーデッド状に形成された窒化物半導体レーザ装置
請求項（抜粋）：
窒化物系半導体からなる活性層と、前記活性層を挟むように形成されたクラッド層とを具備し、前記活性層は、障壁層/井戸層(AlxGa1-xN/AlyGa1-yN 0<x ≦1,0 ≦y <1)からなる超格子構造からなり、前記障壁層(AlxGa1-xN 0<x ≦1 )の一部あるいは全部の層、あるいは前記井戸層(AlyGa1-yN 0≦y <1 )の一部あるいは全部の層のAl組成が階段状あるいはグレーデッド状に変化していることを特徴する窒化物系半導体レーザ装置
Fターム (10件)：
5F073AA31 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073EA18 ,  5F073EA23
引用特許：
審査官引用 (13件)
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