特許

J-GLOBAL ID：200903015201623319

半導体レーザ素子

発明者： 畑 雅幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-075682
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267693
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 しきい値電流の低減化が図られた半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子の発光層は、光ガイド層4c上に、障壁層4aおよび井戸層4bが交互に積層された多重量子井戸構造を有する。発光層上には多重量子井戸障壁層5が形成されている。障壁層4a内で井戸層4bの[001]方向側の界面と接する部分にアクセプタ準位が多く形成され、障壁層4a内で井戸層4bの[00-1]方向側の界面と接する部分にドナー準位が多く形成され、変調ドーピング構造となっている。このように障壁層4a内にアクセプタ準位およびドナー準位が不均一に形成されているため、井戸層4b内に電位勾配が発生する。

請求項（抜粋）：

2つ以上の井戸層と、前記井戸層を挟むように配置された3つ以上の障壁層とから構成される量子井戸構造の発光層を備え、前記量子井戸構造の閉じ込め方向に電位勾配を発生または増大させるように前記障壁層中にアクセプタ準位およびドナー準位のうち少なくとも一方が不均一に形成されたことを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01S 5/347

FI (2件)：

H01S 5/343 ,  H01S 5/347

Fターム (14件)：

5F073AA07 ,  5F073AA44 ,  5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073CA22 ,  5F073CB07 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-140828   出願人：株式会社日立製作所
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-391412   出願人：三洋電機株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082510   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物系半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-234882   出願人：株式会社東芝
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-244498   出願人：株式会社日立製作所