特許
J-GLOBAL ID：200903020105812880
欠陥観察分類方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
井上 学
, 戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-295036
公開番号（公開出願番号）：特開2009-123851
出願日： 2007年11月14日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：
【課題】 半導体回路パターンの微細化が進むにつれ,パターン形状に依存して発生するシステマティック欠陥が製造歩留りに与える影響が大きくなっている。このようなシステマティック欠陥と発生位置が回路パターンに依存しないランダム欠陥とでは,その対策方法が異なる為,製造ラインにおいては,システマティック欠陥が発生しているか否かを効率的にモニタリングする必要がある。【解決手段】 撮像した欠陥画像に対する自動分類結果の情報,その欠陥の座標とホットスポットの座標に関する情報,その欠陥の良品画像から抽出したパターン特徴量と,システマティック欠陥が発生する可能性のある回路パターンから算出されたパターン特徴量に関する情報を用いて,その欠陥がシステマティック欠陥であるか否かを判定する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
欠陥候補をSEMで撮像して得た画像を用いて前記欠陥候補を分類する方法であって,
パターンが形成された試料を予め他の検査装置で検査して検出された欠陥候補をSEMで撮像してSEM画像を得るステップと、
該SEM画像を処理して前記欠陥候補の特徴量を算出するステップと、
該算出した特徴量を用いて前記欠陥候補をパターン形状欠陥とそれ以外の欠陥とに分類する欠陥分類ステップと、
前記パターン形状欠陥に分類された欠陥候補について前記パターンの設計データ上の位置情報を得るステップと、
該得た欠陥候補の設計データ上の位置情報を前記パターンの設計データから求めたパターンの成形不良が発生しやすい箇所の位置情報と比較することにより前記パターン形状欠陥に分類された欠陥候補の中から前記パターンのレイアウト形状や前記パターンを形成するプロセス装置の特性などに起因して発生するシステマティック欠陥を抽出するシステマティック欠陥抽出ステップと
を含むことを特徴とする欠陥観察分類方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/66 Z
, H01L21/66 J
, G01N23/225
2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001CA03
, 2G001GA01
, 2G001GA06
, 2G001HA13
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB05
, 4M106DB18
, 4M106DJ18
