特許
J-GLOBAL ID：200903087436143919
寸法計測走査型電子顕微鏡システム並びに回路パターン形状の評価システム及びその方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-315126
公開番号（公開出願番号）：特開2006-126532
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 半導体設計パターンの微細化に伴い今後重要となる高精度かつ詳細なOPC評価が可能とした測長SEMシステム並びに回路パターン形状の評価システム及びその方法を提供することにある。 【解決手段】 半導体リソグラフィ工程を経て形成されたレジストパターンの観測データを用いて、設計データと形成されたレジストパターンの差異を詳細に評価するために、設計データとレジストパターンの観測データとを重ね合わせ、両者の差異を表現する1次元或いは2次元の幾何学的特徴量を算出する。なお、設計データとレジストパターンは、OPE(光近接効果)により、形状は大きく乖離している場合がある。そこで設計データとレジストパターンの観測データを安定にかつ高精度に重ね合せる為に、露光シミュレータを用いて、露光に用いたフォトマスクデータ及び露光条件から形成される転写パターンを算出し、転写パターンと実際のレジストパターンの観測データとの重ね合わせ処理を行う。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
実際にマスクに形成された回路パターンを所定の露光条件を有する露光装置を用いて被露光基板に露光された露光回路パターンのSEM観測データを取得する寸法計測走査型電子顕微鏡システムであって、
前記露光回路パターンの設計データを入力する入力手段と、
該入力手段で入力された露光回路パターンの設計データと前記取得される露光回路パターンのSEM観測データとを重ね合わせ処理し、該重ね合せ処理された両者の差異を示す1次元或いは2次元の幾何学的特徴を定量化することによって前記露光の光近接補正評価のための評価指標を算出する評価指標算出手段とを備えたことを特徴とする寸法計測走査型電子顕微鏡システム。
IPC (4件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20
, H01J 37/22
, H01L 21/027
G03F1/08 A
, G03F7/20 521
, H01J37/22 502A
, H01J37/22 502H
, H01L21/30 516Z
2H095BA02
, 2H095BB02
, 2H095BC09
, 2H095BD14
, 5F046AA25
, 5F046BA03
, 5F046DB04
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (5件)
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